Speichermedien

Toshiba und SanDisk bauen Produktionskapazität aus

Erst im September 2004 hatten die Toshiba Corp., Tokyo, und SanDisk Corp. mit Sitz in Sunnyvale/Kalifornien ein Joint Venture unter der Firmenbezeichnung Flash Partners, Ltd. mit Firmensitz im japanischen Yokkaichi gegründet. Das Gemeinschaftsunternehmen befindet sich zu 50,1 Prozent im Besitz von Toshiba, zu 49,9 Prozent ist SanDisk Eigner. Nur ein knappes halbes Jahr später, am 21. Februar dieses Jahres, war bereits Richtfest des "Fab 3" genannten Neubaues in der mitteljapanischen Mie-Präfektur auf der Halbinsel Kinki, wo Toshiba bereits seit 1992 eine Wafer-Fabrik betreibt.

Die Wafer oder Silikon-Plättchen sind der wichtigste Bestandteil von NAND-Flashspeicherchips, aus ihnen werden in einem Mikro-Ätzverfahren extrem dicht gepackte Transistormengen gefertigt. Je feiner die Abstände der einzelnen Transistoren – gemessen in Nanometern (nm), ein nm ist ein Milliardstel Meter –, umso mehr Transistoren gehen auf die Flächeneinheit. In der Fab 3 sollen ab dem Sommer dieses Jahres bereits Speicherchips im 90-nm-Prozess gefertigt werden; bei dieser Technologie entstehen auf einer Fläche von nur 146 Quadratmillimetern 4,38 Milliarden Transistoren. Daraus werden dann im weiteren Herstellungsprozess 4-Gigabyte-Speicherkarten produziert, etwa im CompactFlash-Format von SanDisk. Das Flash-Partner-Werk in Yokkaichi fertigt in einem bereits 1992 errichteten Werkskomplex aus nur noch 200 mm großen Wafers schon im 70-nm-Prozess 8-Gigabyte-Speicherkarten. Und auch die neue Fab 3 soll im ersten Halbjahr 2006 auf diese Technologie umgestellt werden und diese dann auf 300 mm große Silikonplättchen anwenden. Ende 2006 soll dann die Massenproduktion von NAND-Flashspeichern nach der 55-nm-Technologie in Fab 3 anlaufen.

Durch die dort eingesetzte MLC-Technologie (Multi-Level Cell), wonach 2 Datenbits in einer Zelle gespeichert werden können, in der Kombination mit dem 70-nm-Prozess ist es Toshiba und SanDisk schon einmal gelungen, auf einer nur wenig (5 %) größeren Speicherfläche als der des 4-GByte-Chips 8 GBytes unterzubringen. Es darf folglich damit gerechnet werden, dass diese Entwicklung sich in den kommenden Jahren fortsetzen wird, und demnächst mit 16 oder gar 32 Gigabyte Kapazität bei festen NAND-Speichermedien zu rechnen sein wird.

Tatsächlich rechnen die Partner Toshiba und SanDisk in den kommenden Jahren mit riesigen Wachstumsraten allein auf dem Markt nicht bewegter, fester Flash-Speichermedien. Masashi Muromachi, Vizepräsident der Toshiba Corp. Und zugleich CEO von Toshibas Halbleiter-Department, nannte beim Fab-3-Richtfest am 21. Februar sogar konkrete Zahlen: "Wir nehmen an, dass der NAND-Markt in der Phase von 2004 bis 2008 jährlich um 30 Prozent wachsen wird, und zwar (umgerechnet) von ca. 5,8 Milliarden auf ca. 15,6 Milliarden EUR, und wir erwarten im Bit-Speichermarkt sogar 200 Prozent jährlich wachsenden Bedarf." Sein Kollege auf der SanDisk-Seite, CEO Dr. Eli Harari, sieht in dem Joint-Venture ebenfalls einen Meilenstein: "Fab 3 ist der Beweis für den Erfolg der Partnerschaft zwischen Toshiba und SanDisk, zwei höchst innovativen Unternehmen, die Pioniere in der Flash-Technologie sind, welche viele neue Anwendungen in der Elektronik sowohl auf dem Konsumgüter- wie auch im Mobilgerätemarkt möglich gemacht hat", so der SanDisk-Chef, "und wir werden Fab 3 gemeinsam zu einer höchst wettbewerbsfähigen, technisch führenden Produktionsstätte für die zweite Hälfte dieses Jahrzehnts ausbauen." Für das erste Halbjahr 2007 peilen die Partner daher bereits den Ausstoß von 40.000 Wafers nach der neuen Technologie an.

Ihre starken Worte sind auch nach Osten gerichtet, an die gemeinsamen Mitbewerber um den lukrativen Flashmarkt, Samsung Electronics Co., Ltd. sowie Hynix Semiconductor Inc., beide in Seoul/Südkorea ansässig. Samsung wird von Experten im Augenblick ein Marktanteil von ca. 54 Prozent am Flashmarkt, Toshiba etwa 29 Prozent zugerechnet. In den kommenden Jahren haben die Marktführer allerdings mit Hynix als ernst zu nehmendem Kontrahenten zu rechnen, der mit staatlichen Subventionen bereits erfolgreich im DRAM- und SRAM-Chip-Bereich (für die PC-Ausstattung) operiert und sich anschickt, nun auch verstärkt den Massenmarkt für NAND-Flashspeicher zu attackieren. Einen ersten Etappensieg konnten die Südkoreaner dabei gerade erst verbuchen. Denn sowohl die EU als auch das US-Außenhandelsministerium hatten dem Newcomer mit Importzöllen von 33 bzw. sogar 44,7 Prozent auf seine Einfuhren (mit der Begründung wettbewerbswidriger staatlicher Beihilfen) versucht, das Geschäft in den jeweiligen Regionen zu vermiesen. Auf Intervention der Welthandelsorganisation (WTO) mussten die Europäer schon im April 2003, die Amerikaner vor wenigen Tagen erst klein beigeben und ihre Schutzzölle gegen Hynix zurückziehen.