Speichermedien
Toshiba und SanDisk bauen Produktionskapazität aus
2005-03-01 Angesichts weiterhin stark steigender Nachfrage nach NAND-Flash-Speicherkarten auf dem Weltmarkt haben Toshiba und SanDisk ihre gemeinsam genutzte Produktionskapazität im japanischen Yokkaichi mit dem Komplex "Fab 3" mit einem Investitionsvolumen von ca. 2 Milliarden EUR erheblich erweitert. Der neue fünfstöckige Werkskomplex mit einem "Clean Room" von allein 34.500 Quadratmetern ist im Rohbau am 21. Februar dieses Jahres fertig gestellt worden und soll in der zweiten Jahreshälfte in Betrieb gehen. Das Joint-Venture plant darin zunächst die Produktion von monatlich 10.000 Wafern (Silikon-Plättchen) im 300-mm-Format nach der 90-nm-Technologie. (Jan-Gert Hagemeyer)
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Erst im September 2004 hatten die Toshiba Corp., Tokyo, und SanDisk Corp.
mit Sitz in Sunnyvale/Kalifornien ein Joint Venture unter der
Firmenbezeichnung Flash Partners, Ltd. mit Firmensitz im japanischen
Yokkaichi gegründet. Das Gemeinschaftsunternehmen befindet sich zu
50,1 Prozent im Besitz von Toshiba, zu 49,9 Prozent ist SanDisk Eigner. Nur
ein knappes halbes Jahr später, am 21. Februar dieses Jahres, war bereits
Richtfest des "Fab 3" genannten Neubaues in der mitteljapanischen
Mie-Präfektur auf der Halbinsel Kinki, wo Toshiba bereits seit 1992 eine
Wafer-Fabrik betreibt.
Die Wafer oder Silikon-Plättchen sind der wichtigste Bestandteil von
NAND-Flashspeicherchips, aus ihnen werden in einem Mikro-Ätzverfahren extrem
dicht gepackte Transistormengen gefertigt. Je feiner die Abstände der
einzelnen Transistoren – gemessen in Nanometern (nm), ein nm ist ein
Milliardstel Meter –, umso mehr Transistoren gehen auf die Flächeneinheit.
In der Fab 3 sollen ab dem Sommer dieses Jahres bereits Speicherchips im
90-nm-Prozess gefertigt werden; bei dieser Technologie entstehen auf einer
Fläche von nur 146 Quadratmillimetern 4,38 Milliarden Transistoren. Daraus
werden dann im weiteren Herstellungsprozess 4-Gigabyte-Speicherkarten
produziert, etwa im CompactFlash-Format von SanDisk. Das Flash-Partner-Werk
in Yokkaichi fertigt in einem bereits 1992 errichteten Werkskomplex aus nur
noch 200 mm großen Wafers schon im 70-nm-Prozess 8-Gigabyte-Speicherkarten.
Und auch die neue Fab 3 soll im ersten Halbjahr 2006 auf diese Technologie
umgestellt werden und diese dann auf 300 mm große Silikonplättchen anwenden.
Ende 2006 soll dann die Massenproduktion von NAND-Flashspeichern nach der
55-nm-Technologie in Fab 3 anlaufen.
Durch die dort eingesetzte MLC-Technologie (Multi-Level Cell), wonach 2
Datenbits in einer Zelle gespeichert werden können, in der Kombination mit
dem 70-nm-Prozess ist es Toshiba und SanDisk schon einmal gelungen, auf
einer nur wenig (5 %) größeren Speicherfläche als der des 4-GByte-Chips
8 GBytes unterzubringen. Es darf folglich damit gerechnet werden, dass diese
Entwicklung sich in den kommenden Jahren fortsetzen wird, und demnächst mit
16 oder gar 32 Gigabyte Kapazität bei festen NAND-Speichermedien zu rechnen
sein wird.
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Tatsächlich rechnen die Partner Toshiba und SanDisk in den kommenden
Jahren mit riesigen Wachstumsraten allein auf dem Markt nicht bewegter,
fester Flash-Speichermedien. Masashi Muromachi, Vizepräsident der Toshiba
Corp. Und zugleich CEO von Toshibas Halbleiter-Department, nannte beim
Fab-3-Richtfest am 21. Februar sogar konkrete Zahlen: "Wir nehmen an, dass
der NAND-Markt in der Phase von 2004 bis 2008 jährlich um 30 Prozent wachsen
wird, und zwar (umgerechnet) von ca. 5,8 Milliarden auf ca. 15,6 Milliarden
EUR, und wir erwarten im Bit-Speichermarkt sogar 200 Prozent jährlich
wachsenden Bedarf." Sein Kollege auf der SanDisk-Seite, CEO Dr. Eli Harari,
sieht in dem Joint-Venture ebenfalls einen Meilenstein: "Fab 3 ist der
Beweis für den Erfolg der Partnerschaft zwischen Toshiba und SanDisk, zwei
höchst innovativen Unternehmen, die Pioniere in der Flash-Technologie sind,
welche viele neue Anwendungen in der Elektronik sowohl auf dem Konsumgüter-
wie auch im Mobilgerätemarkt möglich gemacht hat", so der SanDisk-Chef, "und
wir werden Fab 3 gemeinsam zu einer höchst wettbewerbsfähigen, technisch
führenden Produktionsstätte für die zweite Hälfte dieses Jahrzehnts
ausbauen." Für das erste Halbjahr 2007 peilen die Partner daher bereits den
Ausstoß von 40.000 Wafers nach der neuen Technologie an.
Ihre starken Worte sind auch nach Osten gerichtet, an die gemeinsamen
Mitbewerber um den lukrativen Flashmarkt, Samsung Electronics Co., Ltd.
sowie Hynix Semiconductor Inc., beide in Seoul/Südkorea ansässig. Samsung
wird von Experten im Augenblick ein Marktanteil von ca. 54 Prozent am
Flashmarkt, Toshiba etwa 29 Prozent zugerechnet. In den kommenden Jahren
haben die Marktführer allerdings mit Hynix als ernst zu nehmendem
Kontrahenten zu rechnen, der mit staatlichen Subventionen bereits
erfolgreich im DRAM- und SRAM-Chip-Bereich (für die PC-Ausstattung) operiert
und sich anschickt, nun auch verstärkt den Massenmarkt für
NAND-Flashspeicher zu attackieren. Einen ersten Etappensieg konnten die
Südkoreaner dabei gerade erst verbuchen. Denn sowohl die EU als auch das
US-Außenhandelsministerium hatten dem Newcomer mit Importzöllen von 33 bzw.
sogar 44,7 Prozent auf seine Einfuhren (mit der Begründung
wettbewerbswidriger staatlicher Beihilfen) versucht, das Geschäft in den
jeweiligen Regionen zu vermiesen. Auf Intervention der
Welthandelsorganisation (WTO) mussten die Europäer schon im April 2003, die
Amerikaner vor wenigen Tagen erst klein beigeben und ihre Schutzzölle gegen
Hynix zurückziehen.